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Nov 21st 2013, 21:20, by pf775

作者pf775 (pf775)

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標題[新聞] 大規模投資之後迎來曙光的SK海力士

時間Thu Nov 21 21:19:59 2013

http://chinese.joins.com/big5/article.do?method=detail&art_id=112041 大規模投資之後迎來曙光的SK海力士 孫海容 記者 2013.11.21 14:40 被SK集團收購之後創造大量順差而被稱為孝子的SK海力士在技術上也被認證為了全球頂級 水平。 11月20日，SK海力士公司發布公告稱，應用目前全球最細微的16nm工藝的64Gb MLC(multi-level cell）Nand閃存即將進入批量生產階段。該技術是繼今年6月全球首次 應用16nm級技術生產第1代相關產品後，在縮小芯片尺寸之後推出的量產第2代產品。如果 芯片體積縮小，用相同晶片（wafer）就會生產出更多芯片。也就是說，可通過該項技術 在提高生產效率的同時降低產品價格。SK海力士同時還補充稱“目前市面產品中容量最高 的128Gb的Nand閃存也已經研發完畢，計劃明年初進行批量生產”。 　 根據半導體專門市場調查公司iSuppli的統計，以今年第2季度的銷售額為基準，SK海力士 在Nand閃存市場的占有率為14.7%，與去年第1季度（11.1%）相比增長了3.6個百分點，緊 跟在市場份額排名第3位的Micron公司（15.9%）之後。而29.4%的DRAM市場份額也正在縮 小與該領域龍頭企業三星（32.9%）的差距。全球半導體行業一直以來在工藝細微化方面 都進行著激烈角逐。三星在今年全球首次研發出以垂直方式排列存儲空間的技術，並開始 對128GbNand閃存進行批量生產。得益於Air Gap技術，SK海力士減小了芯片的體積大小。 SK海力士相關負責人表示“我們可以自豪地說在細微工藝方面並不亞於三星電子”，“未 來將加快3D Nand閃存的研發速度來積極滿足消費者需求”。 　 實際上，SK海力士在新產品發布或是批量生產上都會經常被貼上“第2位”的標簽。然而 ，最近卻接連被冠以“全球首次”的名銜。繼今年6月全球首次研發8Gb的低電能（LPD） DDR3 DRAM之後，SK海力士在上月還首次成功生產出6Gb LPDDR3。去年在海力士營業虧損 2270億韓元的情況下，SK集團仍然在生產設備上投資3萬8500億韓元，這也是2007年以來 的最大一筆金額。而這場戰役以“史上最高營業收益”開始迎來曙光。SK海力士今年第3 季度銷售額和營業收益分別為4萬零840億韓元和1萬1640億韓元，繼前一季度後再次在銷 量和收益兩大方面取得曆史最好成績。 　 明年之後,主打產品DRAM供過於求可能帶來的價格下跌讓海力士感到擔憂。東洋證券研究 員朴賢（音）對此說明稱“隨著明年第1季度淡季的出現以及中國無錫工廠正式投產，全 球市場DRAM供給量或將增加”，“在無錫工廠火災導致其它設備被挪用於DRAM生產的過程 當中，Nand閃存的競爭力也可能減弱”。另一方面，Kiwoom證券研究員金成仁（音）則分 析稱“憑借半導體產業的寡頭壟斷以及較高的DRAM製造水平，預計SK海力士在明年將創造 史上最佳業績”。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.25.23.92

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